方式一 
       根據(jù) LCD 的驅(qū)動(dòng)原理可知，LCD 像素點(diǎn)上只能加上 AC 電壓，LCD 顯示器的對比度由 COM腳上的電壓值減去 SEG 腳上的電壓值決定，當(dāng)這個(gè)電壓差大于 LCD 的飽和電壓就能打開像素點(diǎn)，小于 LCD 閾值電壓就能關(guān)閉像素點(diǎn)，LCD 型 MCU 已經(jīng)由內(nèi)建的 LCD 驅(qū)動(dòng)電路自動(dòng)產(chǎn)生 LCD 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，因此只要 I/O 口能仿真輸出該驅(qū)動(dòng)信號(hào)，就能完成 LCD 的驅(qū)動(dòng)。 由于LCD工作的很好的帖頻率通常在25Hz~250Hz，一般設(shè)置刷新頻率在 60Hz左右即可。
現(xiàn)在考慮如何模擬出 COM 的波形
1/2 Bias 下 COM0~COM3 的 LCD 驅(qū)動(dòng)波形如下： 

        可以看出 4個(gè)COM 的輸出，通過配置 IO口為高阻即可使其輸出 VDD/2 電位，配置 IO為推挽輸出即可輸出高低電平。
        因此在一個(gè) COM 周期內(nèi)，只要每隔一段時(shí)間設(shè)置 COM0~COM3 輸出對應(yīng)的電壓即有 COM0~COM3 的波形。具體來說就是首先 Time Base 中斷時(shí)設(shè)置 COM0 輸出VDD，其它 COM 輸出 VDD/2；其次 Time Base 中斷時(shí)設(shè)置 COM0 輸出 VSS，COM1~COM3輸出 VDD/2，再次 Time Base 中斷時(shí)設(shè)置 COM1 輸出 VDD，其它 COM 輸出 VDD/2；第四次 Time Base 中斷時(shí)設(shè)置 COM1 輸出 VSS，其它 COM 輸出 VDD/2；……；第八次中斷時(shí)設(shè)置 COM3 輸出 VSS，其它 COM 輸出 VDD/2。 

        因?yàn)辄c(diǎn)亮 LCD 像素點(diǎn)需要 COM 與 SEG 有大于飽和電壓的電壓差，也就是 COM 與 SEG 有+VDD 或者-VDD 的電壓差，所以要點(diǎn)亮某個(gè)像素點(diǎn)，只要將對應(yīng)的 SEG 輸出與 COM 相反的電壓即可。比如，當(dāng) COM0=VDD，只要 SEG=VSS 就可點(diǎn)亮對應(yīng)像素點(diǎn)，當(dāng) COM0=VSS，只要 SEG=VDD 就可點(diǎn)亮對應(yīng)像素點(diǎn)?？紤]到 LCD 像素點(diǎn)點(diǎn)亮?xí)r先加+VDD 再加-VDD 可延長 LCD 的使用壽命，因此這里同一像素點(diǎn)也采用兩次點(diǎn)亮的方式。

方式二
    由上面所述我們知道，只要 COM、SEG 的電壓差為+VDD 或者-VDD 就可以點(diǎn)亮對應(yīng)的 LCD筆段即像素點(diǎn)，因此，我們也可以不用模擬 COM 的 Timing 即可完成 LCD 的正常驅(qū)動(dòng)。具體實(shí)現(xiàn)步驟如下： 
? 一次中斷時(shí)設(shè)置 COM0 輸出 High，其它 COM 輸出 VDD/2，再根據(jù)要顯示的數(shù)據(jù)設(shè)置各個(gè) SEG 的輸出 
? 二次中斷時(shí)設(shè)置 COM1 輸出 High，其它 COM 輸出 VDD/2，再根據(jù)要顯示的數(shù)據(jù)設(shè)置各個(gè) SEG 的輸出 
? 三次中斷時(shí)設(shè)置 COM2 輸出 High，其它 COM 輸出 VDD/2，再根據(jù)要顯示的數(shù)據(jù)設(shè)置各個(gè) SEG 的輸出 
? 四次中斷時(shí)設(shè)置 COM3 輸出 High，其它 COM 輸出 VDD/2，再次根據(jù)要顯示的數(shù)據(jù)設(shè)置各個(gè) SEG 的輸出 
? 五次中斷時(shí)設(shè)置 COM0 輸出 Low，其它 COM 輸出 VDD/2，再根據(jù)要顯示的數(shù)據(jù)設(shè)置各個(gè) SEG 的輸出 
? 六次中斷、第七次中斷、第八次中斷參考上面的方法依次設(shè)置 COM1、COM2、COM3輸出 Low 并設(shè)置要顯示的數(shù)據(jù) 
? 循環(huán)進(jìn)行以上的 8 次循環(huán)設(shè)置即可完成 LCD 的驅(qū)動(dòng) 這種方式下 COM0~COM3 的 Timing 如下： 

        對比以上兩種方法可以發(fā)現(xiàn)，COM 口的掃描頻率也就是帖頻率并沒有改變，然而從占用的資源上來說，方式二比方式一會(huì)占用更少的 ROM 空間。 

應(yīng)用電路

        可以根據(jù)實(shí)際使用情況取舍 COM 和增減 SEG，比如 LCD 可以是 1/2 Duty，那么只需要保留兩個(gè) COM 即可，SEG 同樣可以參照范例程序擴(kuò)展。 
        根據(jù)上述說明，分 8 次依次設(shè)置 COM0~COM3 的輸出，SEG 是輸出 VDD 還是輸出 VSS 需要根據(jù)要顯示的數(shù)字判斷，使用方法一驅(qū)動(dòng)方式時(shí) I/O 詳細(xì)電位設(shè)置請參考下表：

這里也可以采用掃描的方式

結(jié)論
    本范例驅(qū)動(dòng) 4×8 LCD 顯示正常，用戶只需要稍加改造即可套用到所選用的 1/2 Bias 規(guī)格的LCD 上。 我使用的是方法一掃描方式，大致流程圖如下，其中有些地方對的不怎么齊

void LCD_Control(void)
{
        static unsigned char state = 0;
    
    if(!Back_Light_Is_Open)                // 背光檢測
    {
        P1CFG1 = _b01101010;        // 配置COM1,COM2,COM3為高阻
        P3CFG0 = _b01010110;        // 配置COM4為高阻
        
        return;
    }
    
    LCD_BACK_LIGHT_CONTROL();        // 背光控制
    
    Refresh_Wrod();         // 刷新字幕
    Refresh_Light_Flash();  // 刷新燈光動(dòng)畫
    Refresh_Fan_Flash();    // 刷新風(fēng)扇動(dòng)畫
    Refresh_UV_Lamp_Flash();// 刷新消毒動(dòng)畫
    Refresh_Down_Flash();   // 刷新下降動(dòng)畫
    Refresh_Up_Flash();     // 刷新上升動(dòng)畫
    
        switch(state)
        {   // 01強(qiáng)推，10高阻
                case 0:                // 掃描 COM1
                {
                        COM_L(1);
                        P1CFG1 = _b01100110;        // 配置COM1為強(qiáng)推，COM2,COM3為高阻
                        P3CFG0 = _b01010110;        // 配置COM4為高阻
            
                        COM1_SEG_SET();
                        state = 1;
                }break;
                case 1:                // 掃描 COM1
                {
                        COM_H(1);
            
            COM1_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 2;
                }break;
                case 2:                // 掃描 COM2
                {
            COM_L(2);
                        P1CFG1 = _b01101001;        // 配置COM2為強(qiáng)推，COM1,COM3為高阻
                        
                        COM2_SEG_SET();
            
                        state = 3;
                }break;
                case 3:                // 掃描 COM2
                {
            COM_H(2);
                        
                        COM2_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 4;
                }break;
        case 4:                // 掃描 COM3
                {
            COM_L(3);
                        P1CFG1 = _b01011010;        // 配置COM3為強(qiáng)推，COM1,COM2為高阻
                        
                        COM3_SEG_SET();
            
                        state = 5;
                }break;
                case 5:                // 掃描 COM3
                {
            COM_H(3);
                        
                        COM3_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 6;
                }break;
        case 6:                // 掃描 COM4
                {
            COM_L(4);
                        P1CFG1 = _b01101010;        // 配置COM1,COM2,COM3為高阻
                        P3CFG0 = _b01010101;        // 配置COM4為強(qiáng)推
                        
                        COM4_SEG_SET();
            
                        state = 7;
                }break;
                case 7:                // 掃描 COM4
                {
            COM_H(4);
                        
                        COM4_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 0;
                }break;
        default:
        {
            state = 0;
        }break;
        }
}

代碼中 COM4_SEG_SET_NOT(); 是 COM4_SEG_SET(); IO對應(yīng)段取反所得

COM_L(4); 拉低 COM4口

其他類似

        這里說明一點(diǎn)，我是先將 IO口電平輸出再配置功能的，因?yàn)樵趯?shí)際操作過程中會(huì)發(fā)現(xiàn)從高阻態(tài)轉(zhuǎn)換至強(qiáng)推模式時(shí)會(huì)有 零點(diǎn)幾微秒的脈沖干擾，具體寬度根據(jù)單片機(jī)速度來決定。
        大概是因?yàn)閱纹瑱C(jī)在從強(qiáng)推模式轉(zhuǎn)換至高阻態(tài)時(shí) IO配置雖被改變，但輸出寄存器中的數(shù)據(jù)還會(huì)繼續(xù)保持，所以才會(huì)有脈沖干擾的吧，先將 IO口輸出電平改變再將 IO口狀態(tài)從高阻切換至強(qiáng)推時(shí)就不會(huì)有脈沖干擾了

        這是先配置 IO輸出狀態(tài)再修改輸出電平的，后來想了下，寄存器中應(yīng)該是保存了后一次 IO輸出的電平，所以從高阻態(tài)切換至強(qiáng)推后直接將輸出相應(yīng)的電平，等到再次配置 IO口輸出的電平時(shí)這是才會(huì)改變，所以才會(huì)在開始的時(shí)候有一個(gè)低脈沖。

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