上一章我們講到集成芯片制作的基板硅晶圓，那么這一章我們接著來(lái)講硅晶圓是怎么一步一步制作成我們最終看到的集成芯片的。我們可以分成前段制程（Front End）和后段制程（Back End）兩個(gè)制程來(lái)講解，前段制程包含晶圓處理制程（Wafer Fabrication 簡(jiǎn)稱Wafer Fab）和晶圓針刺制程（Wafer Probe）。

那么現(xiàn)在我們先來(lái)介紹前段制程：
一．晶圓處理制程 
        主要工作為在硅晶圓上制作電路和電子元件（如：電晶體，電容體，邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程，以微處理器（Microprocesser）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為唯一溫度，濕度與含塵（Particle）均需控制的無(wú)塵室（Clean-room）,雖然詳盡的處理程序是隨著產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最后進(jìn)行微影，蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，以完成晶圓上電路的加工和制作。

二． 晶圓針刺制程
        經(jīng)過(guò)Wafer Feb之制程后，晶圓上即形成一格格的小格，我們稱之為晶方或者晶粒（Die），在一般情形下，同一晶圓上皆制作相同的晶片，但是有可能在同一晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品，這些晶圓必須通過(guò)晶片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一一經(jīng)過(guò)針測(cè)（Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性，而不合格的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（Ink Dot）,此程序即稱之為晶圓針測(cè)制程（Wafer Probe），然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒。
        至此，我們前段制程的基本簡(jiǎn)單的介紹已經(jīng)跟大家分享完了，也就是說(shuō)現(xiàn)在的晶圓已經(jīng)變成了一粒粒獨(dú)立的晶粒了，至于晶粒接下來(lái)我們要怎么進(jìn)行處理，我將在下一個(gè)章節(jié)繼續(xù)給大家介紹后段制程，我們先來(lái)了解下后段制程包含構(gòu)裝（Packaging）和測(cè)試制程（Initial Test and Final Test）。以便我們下一章節(jié)的繼續(xù)講解。

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